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南大光电 日韩互撕：国产光刻胶迎来重大机遇
南大光电 日韩互撕：国产光刻胶迎来重大机遇
南大光电(300346):预计今年底建成一条光刻胶生产线
证券时报e公司讯，南大光电(300346)7月17日在互动平台透露，公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司"宁波南大光电材料有限公司"，全力推进"ArF光刻胶开发和产业化项目"落地实施。目前该项目完成的研发技术正在等待验收中，预计2019年底建成一条光刻胶生产线，项目产业化基地建设顺利。
日韩互撕：国产光刻胶迎来重大 |
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江苏南大光电材料股份有限公司(股票代码:300346),成立于2000年,坐落于苏州工业园区,是一家专业从事先进电子材料——高纯金属有机化合物(MO源)的研发、生产和销售的高新技术企业,公司对关键技术拥有完全自主知识产权,亦是全球MO源领导供应商之一。南大光电拥有完善的质量管理体系,公司已经通过ISO9001:2008质量体系认证、ISO14001:2004环境体系认证及OHSAS18001:2007职业健康与安全体系认证。
经营范围 许可经营项目:无一般经营项目:高新技术光电子及微电子材料的研究、开发 |
南大光电 日韩互撕：国产光刻胶迎来重大机遇
南大光电(300346):预计今年底建成一条光刻胶生产线
证券时报e公司讯，南大光电(300346)7月17日在互动平台透露，公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司 宁波南大光电材料有限公司 ，全力推进 ArF光刻胶开发和产业化项目 落地实施。目前该项目完成的研发技术正在等待验收中，预计2019年底建成一条光刻胶生产线，项目产业化基地 |
南大光电
关于对江苏南大光电材料股份有限公司的监管函
创业板监管函（2020）第21号
江苏南大光电材料股份有限公司董事会:
2015年9月15日，你公司披露公告拟使用超募资金通过购买及
增资方式取得北京科华微电子材料有限公司（以下简称 北京科华。）
31.39%股权，合计投资12,272万元。 |
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MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型薄膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在半导体照明、红外探测、超高速计算机等方面的应用有着光明的前景。由于MO源是关键的半导体工业材料，一直是西方国家对我国的限制、甚至禁运物资。
公司以南京大学承担的国家首批八六三项目“高纯度金属有机化合物（MO源）”为技术依托，通过二十多年的潜心研究和产业化工作，成功为国内半导体材料科研和生产的需求单位提供多种MO源。1997年，南大MO源研究课题组被国 |
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300346 南大光电 横盘接近尾声 即将突破
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（盘面观察）OLED 半导体材料龙头 南大光电盘中发力
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南大光电：飘渺的光刻胶和原地打转的MO，未来成长靠的什么？半导体板块在各种利空因素压制下还处于震荡期，自然而然的有些个股选择了装死，南大光电就是这样主动装死的典型。
本文我们就分析下南大光电这家比较有特色的半导体材料公司。
全球第一MO源供应商
南大光电成立于2000年12月，2012年8月在创业板上司，公司注册及办公地址在苏州市工业园区，现有员工652人。南大光电最初从事光电新材料MO源的研发、生产和销售，是全球主要的MO源生产商。2014年南大光电MO市占率达到28.1%，全 |
我个人呢做的是价值投机，也就是跟随者主流的机构资金去做短线，并不是做打板，所以我每天的复盘主要是针对对价值投机方面个股的点评，很少点评游资操作的个股，因为自己的风格hold不住。赚钱的速度虽然慢了点，但是稳当。
今天集合竞价时发现了“国家大基金持股”和“光刻胶概念”高开，这表明有资金将会在这方面下功夫，所以在竞价阶段毫不犹豫地挂单买入了南大光电，南大光电在竞价结束后高开了0.89个点，这更加坚定了我买它。最后面收盘的时候赚了7个多点的肉。至于什么时候卖，看明天的上证和对应 |
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南大光电(300346)拟在高青县投资扩建含氟电子特种气体项目
公司与山东省淄博市高青县人民政府于2019年8月30日签署投资合作协议。公司拟在山东省淄博市高青县投资扩建含氟电子特种气体项目，并于项目建成后，从事三氟化氮及六氟化硫的相关生产经营活动。本次拟投资项目的总投资额为3.8亿元。
南大光电(300346)3家子公司拟向银行申请综合授信1.18亿
南大光电（300346）全资子公司宁波南大光电、南大光电半导体、控股子公司全椒南大光电因业务发展需要，拟向银行申请综合授信额度 |
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南大光电:LED原材料龙头企业,MO源占国内高层的6成,国际市场的四分之一.底部待启动.. |
1.南大光电，趋势新高，,193nm光刻胶属于卡脖子技术，真正的国产替代材料核心股，题材与技术走势没问题，再看资金面，游资大佬方行侠主导，以他的操作手法和近期惯，南大光电会成为他频繁进出的赚钱利器！
[南大光电披露股票交易异常波动公告称，公司承接的国家“02专项”之“ArF光刻胶产品的 |
南大光电
核心概念：
一、相变存储：南大的MO源，二叔丁基碲是制造相变存储器的核心原材料。南大是世界唯一的供应商。
相变存储器的芯片由硫族化合物制成，其中包含硫、硒或碲等混合元素。PCM的主要成分是Ge2Sb2Te5，一般的制程是使用甲胺基锗，甲胺基锑，叔丁基碲在CVD机台里进行反应得到。这三种材料的供应商都不太多，锗源和锑源大约有3-5家，碲源目前只有南大一家。美国本来也有一家公司能制作半导体级的碲源，但是据说他们认为碲源气味实在让人厌恶，又实在无法隔绝，最后没有办法只 |
